Товары в корзине
Категория
BRQP100-DDTA-C-P Фотодатчик цилиндрического типа, диффузионный, корпус пластик М18х1, выход PNP, питание 10-30VDC, расст. сраб. до 100 мм. инфр. 850 нм, реж. работы - на свет / на затемн., с
BRP200-DDTN-C-P Фотодатчик, диффузное отражение, пластиковый корпус М18, 200мм дистанция срабатывания, на свет / на затемнение, PNP-выход с открытым коллектором, с разъёмом, 12-24VDC
BRQP5M-TDTB-C Фотоэлектрический датчик, диам.18 мм, материал корпуса - пластик, расст. срабатывания - 5 м., питание 10-30VDC, выход NPN
BRQP5M-TDTB-C-P Фотоэлектрический датчик, диам.18 мм, материал корпуса - пластик, расст. срабатывания - 5 м., питание 10-30VDC, выход PNP
BRQP5M-TDTB-P Фотоэлектрический датчик, диам.18 мм, материал корпуса - пластик, расст. срабатывания - 5 м, питание 10-30VDC, выход PNP
BRQPS100-DDTA Фотоэлектрический датчик, диам.18 мм, материал корпуса - пластик, боковое обнаружение, расст. срабатывания - 100 мм., питание 10-30VDC, выход NPN
BRQPS100-DDTA-C Фотоэлектрический датчик, диам.18 мм, материал корпуса - пластик, боковое обнаружение, расст. срабатывания - 100 мм., питание 10-30VDC, выход NPN
BRQPS100-DDTA-C-P Фотоэлектрический датчик, диам.18 мм, материал корпуса - пластик, боковое обнаружение, расст. срабатывания - 100 мм., питание 10-30VDC, выход PNP
BRQPS10M-TDTA Фотоэлектрический датчик, диам.18 мм, материал корпуса - пластик, боковое обнаружение, расст. срабатывания - 10 м., питание 10-30VDC выход NPN
BRQPS10M-TDTA-C Фотоэлектрический датчик, диам.18 мм, материал корпуса - пластик, боковое обнаружение, расст. срабатывания - 10 м., питание 10-30VDC, выход NPN
BRQPS10M-TDTA-C-P Фотоэлектрический датчик, диам.18 мм, материал корпуса - пластик, боковое обнаружение, расст. срабатывания - 10 м., питание 10-30VDC, выход PNP
BRQPS10M-TDTA-P Фотоэлектрический датчик, диам.18 мм, материал корпуса - пластик, боковое обнаружение, расст. срабатывания - 10 м., питание 10-30VDC, выход PNP
BRQPS20M-TDTA Фотоэлектрический датчик, диам.18 мм, материал корпуса - пластик, боковое обнаружение, расст. срабатывания - 20 м., питание 10-30VDC, выход NPN
BRQPS20M-TDTA-C Фотоэлектрический датчик, диам.18 мм, материал корпуса - пластик, боковое обнаружение, расст. срабатывания - 20 м., питание 10-30VDC, выход NPN
BRQPS20M-TDTA-C-P Фотоэлектрический датчик, диам.18 мм, материал корпуса - пластик, боковое обнаружение, расст. срабатывания - 20 м., питание 10-30VDC, выход PNP
BRQPS3M-PDTA Фотодатчик цилиндрического типа, корпус М18х1, длина 62 мм, 3 м, выход NPN , материал корпуса - пластик, боковое обнаружение с отражателем в комплекте. питание 12-24VDC, кабель 2
BRQPS3M-PDTA-C Фотоэлектрический датчик, диам.18 мм, материал корпуса - пластик, боковое обнаружение, расст. срабатывания - 3 м., питание 10-30VDC, выход NPN
BRQPS3M-PDTA-C-P Фотоэлектрический датчик, диам.18 мм, материал корпуса - пластик, боковое обнаружение, расст. срабатывания - 3 м., питание 10-30VDC, выход PNP
BRQP3M-PDTA-C Фотоэлектрический датчик, диам.18 мм, материал корпуса - пластик, расст. срабатывания - 3 м., питание 10-30VDC, выход NPN
BRQP3M-PDTB Фотоэлектрический датчик, диам.18 мм, материал корпуса-никелированная латунь, переднее обнаружение, дистанция обнаружения - 3 м., питание 10-30VDC, выход NPN